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    型号:
    全反射 X 射线荧光光谱仪表面污染计量测量离散点的元素污染或使用完整的晶圆图

    产品描述

    全反射 X 射线荧光光谱仪
    全反射 X 射线荧光光谱仪TXRF 3760分析可以测量所有晶圆厂工艺中的污染,包括清洁、光刻、蚀刻、灰化、薄膜等。全反射 X 射线荧光光谱仪TXRF 3760 可以使用单目标 3 光束 X 射线系统和无液氮探测器系统测量从钠到 U 的元素。

    全反射 X 射线荧光光谱仪TXRF 3760 包括理学获得专利的 XYθ 样品台系统、真空晶圆机器人传输系统和新的用户友好型窗口软件。所有这些都有助于提高吞吐量、更高的准确度和精度,以及简化的日常操作。

    可选的扫描TXRF软件可以绘制晶圆表面上的污染物分布图,以识别可以更高精度自动重新测量的“热点”。可选的 ZEE-TXRF 功能克服了原始 TXRF 设计历史上 15 mm 边缘排除的问题,使测量能够以零边缘排除进行。


    特征
    • 易于操作,分析结果快速

    • 接受 200 mm 及更小的晶圆

    • 紧凑的设计,占地面积

    • 大功率旋转阳极源

    • 多种分析元素(Na~U)

    • 轻元素灵敏度(针对钠、镁和铝)

    • 应用于裸硅和非硅基板

    • 从缺陷检测工具导入测量坐标以进行后续分析

    规格
    产品名称TXRF 3760
    技术全反射 X 射线荧光 (TXRF)
    效益从Na到U的快速元素分析,以测量所有晶圆厂工艺中的晶圆污染
    科技带无液氮探测器的 3 光束 TXRF 系统
    核心属性高达 200 mm 的晶圆、XYθ 样品台系统、真空晶圆机器人传输系统、ECS/GEM 通信软件
    核心选项扫描TXRF软件可以绘制晶圆表面上的污染物分布图,以识别“热点”。ZEE-TXRF 功能可实现零边缘排除的测量
    计算机内置电脑,微软视窗操作系统®
    核心尺寸1000 (宽) x 1760 (高) x 948 (深) 毫米
    质量100 千克(核心单元)
    电源要求3Ø, 200 VAC 50/60 Hz, 100 A


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